Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13/0.27A
  • Модель:
    IR2101PBF
  • Доступно:
    Есть в наличии
610тг.

Файлы для скачивания

Описание

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon

Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.

Конфигурацияhalf-bridge
Тип каналанезависимый
Кол-во каналов2
Тип управляемого затвораIGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В10…20
Логическое напряжение (VIL), В0.8
Логическое напряжение (VIH), В3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А0.36
Тип входанеинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс50
Рабочая температура, °C-40…+150 (TJ)
КорпусDIP-8 (0.300 inch)
Вес, г1


Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.