Наименование прибора: STP9NK60Z Маркировка: P9NK60Z Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 38 nC Время нарастания (tr): 17 ns Выходная емкость (Cd): 135 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
