- Модель:Транзистор MDD7N25RH
- Доступно:Есть в наличии74
- Канал:N-Канальный
- Тип корпуса:D2PAK
350тг.
MDD7N25RH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDD7N25RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 43 ns
Выходная емкость (Cd): 77.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-252