• Модель:
    Стабилитрон BZX55-C13V
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Монтаж:
    пайка в отверстия
  • Мощность, Вт:
    0,5 Вт
  • Напряжение, В:
    13 В
10тг.

Описание

Технические характеристики


Корпус
DO35
Структура
Diode
Схема соединения
Одиночный
Номинальное напряжение 13  V
Рабочее напряжение
2.8 - 3.2 V
Номинальная мощность
0.5 Вт
Рабочая температура
-65°C ... +175°C
Способ монтажа
Пайка в отверстия
Допуск
±5 %
Направленностьоднонаправленный


Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Задать вопрос

Вы смотрели

Стабилитрон 1N4750A (27V) 1Вт, 27В Корпус: DO41

Стабилитрон 1N4750A (27V) 1Вт, 27В Корпус: DO41

Наличие:Есть в наличии
20тг.
В корзину
Термостат биметаллический 75°C 10A 250VAC KSD-301-75 NC (норм. замкн.)

Термостат биметаллический 75°C 10A 250VAC KSD-301-75 NC (норм. замкн.)

Наличие:Есть в наличии
250тг.
В корзину
STP60NS04ZB Транзистор MOSFET, N, 150 W TO220

STP60NS04ZB Транзистор MOSFET, N, 150 W TO220

Наличие:Есть в наличии
550тг.
В корзину
Блок питания Roboton iB9-500S AC\DC (9V 0.5A) импульсный 5.5х2.1\ 12мм штекер -полярн

Блок питания Roboton iB9-500S AC\DC (9V 0.5A) импульсный 5.5х2.1\ 12мм штекер -полярн

Наличие:Есть в наличии
Цену уточняйте
В корзину
Блок питания, адаптер 5В 3А штекер 1,2х3,5

Блок питания, адаптер 5В 3А штекер 1,2х3,5

Наличие:Есть в наличии
1 500тг.
В корзину
F1J2HTP J2H SBD Schottky Barrier Diodes 20V 2A 420mV/0.42V SMA/DO-214AC marking J2H low forward voltage

F1J2HTP J2H SBD Schottky Barrier Diodes 20V 2A 420mV/0.42V SMA/DO-214AC marking J2H low forward voltage

Наличие:Есть в наличии
200тг.
В корзину
FZT751, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

FZT751, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

Наличие:Есть в наличии
800тг.
В корзину