• Модель:
    HYG050N08NS1P
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Корпус:
    SOT-223-3
  • Vвых.:
    5.0
800тг.

Файлы для скачивания

Описание

Наименование прибора: HYG050N08NS1P

Маркировка: G050N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 68 nC

Время нарастания (tr): 87 ns

Выходная емкость (Cd): 1770 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.