FGL40N120ANDTU, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт

Наименование: FGL40N120AND
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 64
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 370
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 25

   Тип корпуса: TO264