Биполярный транзистор H30R1602 1600 В Мощный монолитный корпусной диод с очень низким прямым напряжением Диод корпуса фиксирует отрицательное напряжение Напряжение: 1600В Для индукционной печи Корпус: to-247​
  • Модель:
    Транзистор IHW30N160R2
  • Доступно:
    Есть в наличии
2 000тг.

Файлы для скачивания

f3d0b717f4d1226d0876dbec

Описание

   Наименование: IHW30N160R2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H30R1602
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 312
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 68.1
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 94

   Тип корпуса: TO247

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Задать вопрос