• Модель:
    IRG4PH50UDPBF
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Напряжение исток-сток макс:
    1200V
  • Тип корпуса:
    ТО247
  • Тип транзистора :
    IGBT
1 250тг.

Описание

ПроизводительInternational Rectifier (IR)
КорпусTO247
СтруктураIGBT + Diode
Схема соединенияОдиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)45 А
Макс. ток коллектора (100°C)24 А
Макс. постоянный ток диода (100°С)16 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)90 / 164 нс
Мощность рассеяния при 25°C200 Вт
Тип упаковкиТуба
Стандартная упаковка25 шт



Максимальное напряжение кэ ,В 1200

Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45

Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 24

Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.7

Максимальная частота переключения, кГц 40

Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал с диодом

Мощность макс.,Вт 200

Корпус TO247AC

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Вы смотрели

OSG65R069HF Полевой транзистор 700V 150A N-Channel MOSFET

OSG65R069HF Полевой транзистор 700V 150A N-Channel MOSFET

Наличие:Есть в наличии
1 850тг.
Резистор 3.6 R 10W

Резистор 3.6 R 10W

Наличие:Есть в наличии
150тг.
Предохранитель 6x30 F12A

Предохранитель 6x30 F12A

Наличие:Есть в наличии
100тг.
YD1028, УНЧ 18Вт (13.2В/2 Ом), 40дБ

YD1028, УНЧ 18Вт (13.2В/2 Ом), 40дБ

Наличие:Есть в наличии
500тг.