SGT60N60FD1PN, TO-3P-3 IGBTs ROHS Купить в розницу и оптом по низким ценам.

Модель:
SGT60N60FD1PN
Доступно:
Есть в наличии394
Мощность Макс.:
600 Вт
Напряжение исток-сток макс:
600 V
Тип корпуса:
ТО247
Тип транзистора :
IGBT

Цена: 1 800тг.

Количество:

Файлы для скачивания

Описание

Наименование: SGT60N60FD1PN

Маркировка: 60N60FD1

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 321

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 142

Емкость коллектора (Cc), pf: 294

Тип корпуса: TO3P