• Модель:
    Транзистор FGA25N120ANTD
  • Доступно:
    Нет в наличии
  • Мощность Макс.:
    312 W
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
    1200 В
  • Тип корпуса:
    TO3PN
  • Тип транзистора :
    NPT
  • Ток коллектора Макс.:
    25 А
Цену уточняйте

Описание

ПроизводительON Semiconductor (ONS)
КорпусTO-3PN
СтруктураIGBT + Diode
Схема соединенияОдиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)50 А
Макс. ток коллектора (100°C)25 А
Макс. постоянный ток диода (25°С)50 А
Макс. постоянный ток диода (100°С)25 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)235 / 300 нс
Мощность рассеяния при 25°C312 Вт

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Задать вопрос