- ...
- Главная
- Радиодетали
- Транзисторы
- IGBT транзисторы
Транзистор FGA25N120ANTD 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT Корпус: TO-3PN
- Модель:Транзистор FGA25N120ANTD
- Доступно:Нет в наличии0
- Мощность Макс.:312 W
- Напряжение Колл-Эмитт. Макс:1200 В
- Тип корпуса:TO3PN
- Тип транзистора :NPT
- Ток коллектора Макс.:25 А
Цену уточняйте
Описание
| Производитель | ON Semiconductor (ONS) |
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 50 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 25 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 50 А |
| Макс. постоянный ток диода (100°С) | 25 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 235 / 300 нс |
| Мощность рассеяния при 25°C | 312 Вт |







