• Модель:
    SI2301DS (A1SHB)
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Мощность Макс.:
    1.125 Вт
  • Напряжение исток-сток макс:
    20 V
  • Тип корпуса:
    ТО247
  • Тип транзистора :
    IGBT
  • Ток коллектора Макс.:
    2.5 А
100тг.
10 штук или более: 70тг.

Файлы для скачивания

Даташит SI2301DS

Описание

  • Наименование прибора: SI2301DS(A1SHB)
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: P
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.3 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Время нарастания (tr): 36 ns
  • Выходная емкость (Cd): 223 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
  • Тип корпуса: SOT23_TO236

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Задать вопрос