- Модель:Транзистор GT50JR22
- Доступно:Есть в наличии200
- Напряжение Колл-Эмитт. Макс:600 В
- Ток коллектора Макс.:50 А
2 000тг.
Файлы для скачивания
Описание
| Производитель | TOSHIBA |
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±25 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 50 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 44 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 40 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 350 нс (typ) |
| Мощность рассеяния при 25°C | 230 Вт |
