Транзистор MBQ50T65FESC - IGBT Корпус: TO247 N-Channel W: 375 V: 650

MBQ50T65FESC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MBQ50T65FESC

Тип транзистора: IGBT

Маркировка: 50T65FESC

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 60

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 238

Тип корпуса: TO247