Транзистор IGBT NGD8201ANT4G (ISL9V3040D3S) TO252 (D-PAK) 20 A, 400 V, N-Channe - Транзистор IGBT
- Модель:NGD8201ANT4G
- Доступно:Есть в наличии260
- Напряжение исток-сток макс:400V
- Тип корпуса:TO-252
- Тип транзистора :IGBT
- Ток коллектора Макс.:20 А
2 000тг.
Файлы для скачивания
Описание
| Производитель | ON Semiconductor (ONS) |
| Корпус | DPAK |
| Структура | [Single] |
| Мощность рассеяния при 25°C | 125 Вт |
N-канальный IGBT транзистор NGD8201AG в корпусе TO-252. Применяется в автомобильных системах зажигания.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Use): 440 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.3 В
- Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт
