IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Наименование: MBQ60T65PES
  • Модель:
    Транзистор MBQ60T65PESTH
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
    650 В
  • Тип корпуса:
    ТО247
  • Ток коллектора Макс.:
    60 А
2 000тг.

Файлы для скачивания

Описание

Маркировка: 60T65PES

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 428

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 54

Емкость коллектора (Cc), pf: 270

Тип корпуса: TO247

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.