• Модель:
    Транзистор RJH60F5DPQ
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Напряжение исток-сток макс:
    600 V
  • Тип корпуса:
    ТО247
  • Тип транзистора :
    IGBT
1 750тг.

Описание

ПроизводительRenesas Electronics Corporation (RENESAS)
КорпусTO247
СтруктураIGBT + Diode
Схема соединенияОдиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер600 V
Напряжение затвор - эмиттер±30 V
Макс. ток коллектора (25°C)80 А
Макс. ток коллектора (100°C)40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)90 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C260.4 Вт
Тип упаковкиТуба
Стандартная упаковка30 шт

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Вы смотрели

SMD Резистор 5.1 Ом 1206 1% 0.25 Вт

SMD Резистор 5.1 Ом 1206 1% 0.25 Вт

Наличие:Есть в наличии
30тг.
SMD Резистор 5.1 кОм 1206 1% 0.25 Вт

SMD Резистор 5.1 кОм 1206 1% 0.25 Вт

Наличие:Есть в наличии
30тг.
SMD Резистор 33 кОм 1206 1% 0.25 Вт

SMD Резистор 33 кОм 1206 1% 0.25 Вт

Наличие:Есть в наличии
10тг.
Микросхема КР1533ЛА1, аналог SN74LS20N, CD74ACT20E

Микросхема КР1533ЛА1, аналог SN74LS20N, CD74ACT20E

Наличие:Есть в наличии
100тг.
Резистор подстроечный 500 Ом , 0,5 Вт, 3296W

Резистор подстроечный 500 Ом , 0,5 Вт, 3296W

Наличие:Есть в наличии
100тг.
Резистор SMD 390 Ом 1206 1%

Резистор SMD 390 Ом 1206 1%

Наличие:Есть в наличии
30тг.