Silicon N Channel MOS Type, Vdss=60V,Id=60A, Pd=150W, Rds(on)=8 mOhm, electrostatic-sensitive( handle with caution!)
  • Модель:
    2SK2313(F)
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Канал:
    N-Канальный
  • Мощность Макс.:
    150 W
  • Напряжение исток-сток макс:
    600V
  • Тип корпуса:
    TO-3P
2 500тг.

Файлы для скачивания

2sk2313

Описание

 Наименование прибора: 2SK2313
Маркировка: K2313
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 170 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 2600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO3P

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Задать вопрос