- Модель:IPD80N04S3-06 M
- Доступно:Есть в наличии95
- Канал:N-Канальный
- Мощность Макс.:100 W
- Напряжение исток-сток макс:40V
- Ток стока макс.:80А
700тг.
Описание
IPD80N04S3-06 MOSFET
Наименование прибора: IPD80N04S3-06
- Маркировка: QN0406
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
- Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
- Время нарастания (tr): 10 ns
- Выходная емкость (Cd): 660 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
- Тип корпуса: TO252
![Транзистор STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]](https://megaom.kz/image/cache/catalog/tranzistory/igbt/stgd18n40lzt4-80x80_0.jpg "Транзистор STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]")
