• Модель:
    IPD80N04S3-06 M
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Канал:
    N-Канальный
  • Мощность Макс.:
    100 W
  • Напряжение исток-сток макс:
    40V
  • Ток стока макс.:
    80А
700тг.

Описание

IPD80N04S3-06 MOSFET 
Наименование прибора: IPD80N04S3-06

  • Маркировка: QN0406
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность: N
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  • Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  • Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
  • Время нарастания (tr): 10 ns
  • Выходная емкость (Cd): 660 pf
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
  • Тип корпуса: TO252

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Задать вопрос