AOD2916 использует траншейную технологию MOSFET, которая уникально оптимизирована для обеспечения наиболее эффективной высокочастотной коммутации. Как проводимость, так и коммутационные потери мощности минимизируются благодаря чрезвычайно низкой комбинации RDS(ON), Ciss и Coss. Тип продукции Полевой транзистор Тип корпуса TO-252 Тип подключения Контакты для пайки Структура транзистора N-канал Рассеиваемая мощность, Вт 50 Вт Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом 0.034 Ом Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В 100 В Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В 20 В Крутизна характеристики, S 28 S Рабочая температура, °C +175°C Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| 25 А Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| 2.7 В Подробнее
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Спецификация:
Наименование прибора: AOD2916; Тип транзистора: MOSFET; Полярность: N; Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W; Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V; Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V; Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V; Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A; Максимальная температура канала (Tj): 175 °C; Время нарастания (tr): 3.5 ns; Выходная емкость (Cd): 68 pf; Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.034 Ohm; Тип корпуса: TO-252.
