STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]

Наименование прибора: STD10NM60N

Маркировка: 10NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 19 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 44 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm

Тип корпуса: DPAK