STP110N7F6 , MOSFET N-канал 68В/110А/0.0055 Ом

Наименование прибора: STP110N7F6

Маркировка: 110N7F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 68 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220