Наименование прибора: SVF23N50PN Маркировка: 23N50 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42.51 nC Время нарастания (tr): 79 ns Выходная емкость (Cd): 343.8 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm Тип корпуса: TO3P
