TMB80N08A MOSFET транзистор 80N08A N 170 W 80 V 80 A TO263

TMB80N08A MOSFET 

Наименование прибора: TMB80N08A

Маркировка: 80N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 84 nC

Время нарастания (tr): 18 ns

Выходная емкость (Cd): 240 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263