Технические параметры Continuous Drain Current (Id) 16.1A Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 14mΩ@4.5V, 8.4A Drain Source Voltage (Vdss) 40V Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA Power Dissipation (Pd) 6.3W Type P Channel Вес, г 0.37
  • Модель:
    VBA2412
  • Доступно:
    Есть в наличии
  • Канал:
    P-Канальный
  • Тип корпуса:
    SO8
Цену уточняйте

Файлы для скачивания

vba2412

Описание

Наименование прибора: VBA2412
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm

   Тип корпуса: SO8

 40V 16.1A 14mΩ@4.5V,8.4A 6.3W 2.5V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Вопрос - Ответ 0

Пока не было вопросов.

Задать вопрос