UMX1N (или UMX1NTN) — это двухканальный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), разработанный для работы в компактных и энергоэффективных устройствах. Он поставляется в корпусе SOT323-6, что делает его подходящим для применения в устройствах с ограниченным пространством. Основные характеристики UMX1N:
Тип корпуса: SOT323-6 (или SC-70-6): компактный корпус, предназначенный для поверхностного монтажа, оптимальный для миниатюрной электроники. Конструкция: Два независимых N-канальных MOSFET в одном корпусе. Электрические параметры: Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 20 В. Максимальный ток стока (Id): до 0,5 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): низкое значение, обеспечивающее минимальные потери мощности. Энергопотребление: Низкое энергопотребление, подходит для работы с низковольтными сигналами. Прочие параметры: Рабочая частота: может использоваться в высокочастотных схемах. Температурный диапазон: от -55°C до +150°C, что делает его подходящим для широкого спектра условий эксплуатации.
Основные функции:
Ключевой транзистор: Используется в схемах с коммутацией нагрузок. Усиление сигналов: Работает как усилитель низковольтных сигналов в аналоговых схемах. Переключение питания: Применяется для управления включением и отключением питания в портативной электронике.
Применения:
Мобильная и портативная электроника: Используется в смартфонах, планшетах и других компактных устройствах. Схемы управления: Подходит для драйверов LED, управляемых реле и других периферийных устройств. Импульсные источники питания: Может быть частью схем преобразования напряжения и управления импульсами. Миниатюрные устройства: Используется в датчиках, Bluetooth-устройствах, и других IoT-решениях.
Преимущества:
Компактный размер, идеальный для миниатюрных плат. Низкое сопротивление в открытом состоянии снижает потери энергии. Возможность работать с низковольтными и высокочастотными сигналами.
UMX1N — это универсальный и компактный MOSFET, подходящий для множества задач, включая управление нагрузками, усиление сигналов и коммутацию в портативной электронике. Его низкое энергопотребление и компактный корпус делают его идеальным выбором для современных компактных и энерго эффективных устройств.