STP80NF10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник Наименование прибора: STP80NF10 Маркировка: P80NF10 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ - Общий заряд затвора: 135 nC trⓘ - Время нарастания: 80 ns Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm Тип корпуса: TO220
Пока не было вопросов.
